多段高電圧整流ブリッジ

ブランド :HVDIODE

製品原産地 :中国

納期 :5〜60日間

供給能力 :50KK

1.ダイチップの生産のための国際的な最新の技術を採用する2.低リーク電流、低消費電力、高信頼性。 3.瞬間的な大電流に対する優れた耐衝撃性。 4.逆方向アバランシェ降伏。 5.作業温度-40℃〜+ 130℃。 6.様々なサイズやカスタマイズ7.高電圧整流器、絶縁と回路の保護効果。 8.環境にやさしい技術で、国際規格に準拠していること。

合理的な価格高電圧テストセット、Hipotテストセットカスタマイズ

鞍山スリーエレクトロニクス株式会社R＆D、合理的な価格高電圧テストセットの設計と様々な分野の高電圧整流器コンポーネントの生産に焦点を当てたプロのハイテク企業です。

当社の主力製品は、高電圧シリコンスタック、Hipot Test Set、工業用特殊シリコンスタック、高電圧シリコン整流器ダイオード、電子レンジの高電圧シリコンスタック、高電圧シリコン整流器ブリッジ、高電圧整流器部品、高電圧モジュール等を含む。

HVDIODE高電圧検出、プラズマ注入、イオン加速、電子ビーム溶接、電子顕微鏡、空気浄化、真空コーティング、超音波洗浄など、医療機器、静電析出、噴霧、高周波熱接着、Hipot Test Setに広く使用されています。、高エネルギー点火、X線装置産業用マイクロ波、レーダー変調、レーザー装置、合理的な価格高電圧テスト電源装置やその他の電子機器のすべての種類を設定します。

HVDIODE製品国内外で販売しています。

タイプ	Vrrm（KV）	IO（A）	IFSM（A）	VFM（V）	IR（μA）	TRR（nS）	Tstg（℃）	サイズ（mm）
QLN（10〜200KV）/1.0A	10〜200	1.0	20	15〜300	5	-	-40〜130	-
QLN（10〜200KV）/2.0A	10〜200	2.0	40	15〜300	5	-	-40〜130	-
QLN（10〜200KV）/3.0A	10〜200	3.0	60	15〜300	5	-	-40〜130	-
QLN（10〜200KV）/4.0A	10〜200	4.0	80	15〜300	10	-	-40〜130	-
QLN（10〜200KV）/5.0A	10〜200	5.0	100	15〜300	10	-	-40〜130	-
QLGN（10〜200KV）/1.0A	10〜200	1.0	20	20〜400	5	100	-40〜130	-
QLGN（10〜200KV）/2.0A	10〜200	2.0	40	20〜400	10	100	-40〜130	-
QLGN（10〜200KV）/3.0A	10〜200	3.0	60	20〜400	10	100	-40〜130	-
QLGN（10〜200KV）/4.0A	10〜200	4.0	80	20〜400	10	100	-40〜130	-
QLGN（10〜200KV）/5.0A	10〜200	5.0	100	20〜400	10	100	-40〜130	-